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成大吳致平講座教授、許渭州特聘教授獲 115 年度「傑出工程教授獎」
國立成功大學土木工程學系吳致平講座教授、電機工程學系許渭州特聘教授憑藉在學術研究與產學應用的卓越成就，雙雙榮獲中國工程師學會 115 年度「傑出工程教授獎」。該獎項設立於民國 80 年，旨在表揚對我國工程實務或工程教育有傑出貢獻之工程教授。成大歷年屢獲此殊榮，展現長期在工程領域上的領先地位，獲獎教授將於 6 月 5 日於學會年會上接受公開表揚。２位年度獲獎者傑出表現：
成大土木工程學系 吳致平講座教授
吳致平講座教授學術創新極具突破性，率先提出基於 Reissner 混合變分原理之彈性／壓電力學強弱形式表述、尺度相關協合應力偶歸一理論與協合應變梯度理論、非局部 Eringen 彈性力學微擾方法應用；在工程領域的重要貢獻則基於上述學術理論，發展新創三角形／矩形環狀柱體元素法、Hermitian Cn 層狀元素和無網格分析法，各式半解析數值模擬方法，並將其應用在功能性智能材料多場量耦合宏觀、微米、奈米跨尺度結構力學之分析和最佳化設計上，結果顯示上述數值模擬分析法不僅精確、收斂快速、且運算時間較商用軟體更加經濟；其研究成果迄今合計發表 133 篇 SCI 國際學刊論文。任職期間獲頒 7 次校特聘教授榮譽、96 學年度校「教學特優教師」、98 學年度校「教學傑出教師」、108 和 111 學年度國科會「傑出研究獎」、112 年度獲頒校講座教授榮譽，並自西元 2020 年起持續獲選列入史丹佛大學依 Scopus 論文影響力數據發布之「科學影響力排行榜和終身科學影響力排行榜」全球前 2% 頂尖科學家榜單中。
成大電機工程學系 許渭州特聘教授
許渭州特聘教授主要研究領域為化合物半導體磊晶、材料、元件製程以及測試，近幾年以自製霧化化學氣相沉積（Mist-CVD） 磊晶第四代半導體 Ga2O3 材料及元件，在崩潰電壓及電流已達到全世界最優異特性，目前正與設備公司合作開發全世界第一部8 吋晶圓級磊晶量產 Mist-CVD 設備，未來希望能應用於高功率產業。另外研製 p- NiO/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）元件, 崩潰電壓及導通電阻均達到全世界最佳水準，並與台積電、力積電、穩懋、大立光、宏捷、工研院等產學合作。歷年來發表於國際優質期刊約 260 篇，其中 70 篇 為 IEEE 國際頂級期刊。此外，許教授教學認真投入，曾榮獲成大教學特優，並 7 度獲聘為特聘教授。
維護單位: 新聞中心
更新日期: 2026-05-11
成大吳致平講座教授（左）、許渭州特聘教授（右）獲 115 年度「傑出工程教授獎」
